Các kỹ sư tại Đại học Quốc gia Singapore nói với hãng tin UPI rằng hình thức mới của bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (RAM) sẽ tăng đáng kể không gian lưu trữ, đảm bảo dữ liệu vừa đọc sẽ được lưu dù có mất điện đột ngột. Nhà khoa học Yang Hynsoo cho biết, khi đã ra lệnh lưu thì dữ liệu có thể bảo quản trong vòng 20 năm. Hiện nay RAM với lớp từ tính mỏng chỉ có thể lưu dữ liệu trong vòng 1 năm.

Công nghệ MRAM hiện hành sử dụng cấu trúc sắt từ siêu mỏng với độ dày chỉ 1 nanomet dẫn đến độ tin cậy trong sản xuất thấp và mất dữ liệu theo thời gian.

Các nhà khoa học đã giải quyết vấn đề này bằng cách kết hợp vật chất từ đa lớp, tăng độ dày lên 20 nanomet thay thế cho cách truyền tải và lưu trữ cho bộ nhớ tạm này. Bên cạnh đó, điện năng sử dụng cũng thấp đi nhiều.