Loại màng này có độ dày chỉ bằng một nguyên tử, có tính chất của chất bán dẫn và có thể được dùng để chế tạo mạch điện tử tốc độ cao.

Nhóm nghiên cứu này đã phủ màng gốm trên một bề mặt chất nền silicon dài 2cm, rộng 1cm, sau đó tăng nhiệt lên 900 độ C trong môi trường chân không đặc biệt.

Kết quả là, các yếu tố silicon có trong chất nền silicon đã thâm nhập và xuất hiện trên bề mặt màng gốm, hình thành màng silicon. Nếu chất nền lớn hơn sẽ có thể chế tạo ra màng silicon với diện tích lớn hơn.

Chỉ có graphene có độ dày 1 nguyên tử cacbon là vật liệu mỏng nhất được biết đến trên thế giới hiện nay. Người phát minh ra nó đã đạt giải nobel vật lý năm 2010 vì loại vật chất có nhiều tính chất thần kỳ này.

Silicene được coi như là graphene phiên bản silicon và thu hút nhiều sự chú ý của giới vật lý.

Phó giáo sư Komura Yukiko của trường đại học này cho biết, thách thức tiếp theo của họ là làm sáng tỏ cơ chế hình thành silicene, đồng thời phát triển công nghệ bóc tách loại màng này từ chất nền.