Hiệu
ứng quang điện được phát hiện đầu tiên năm 1839 bởi nhà vật lý Pháp
Alexandre Edmond Becquerel. Tuy nhiên cho đến 1883 một pin năng lượng
mới được tạo thành, bởi Charles Fritts, ông phủ lên mạch bán dẫn selen
một lớp cực mỏng vàng để tạo nên mạch nối. Thiết bị chỉ có hiệu suất 1%,
Russell Ohl xem là người tạo ra pin năng lượng mặt trời đầu tiên năm
1946. Sven Ason Berglund đã có phương pháp liên quan đến việc tăng khả
năng cảm nhận ánh sáng của pin.
Nói đến pin mặt trời ai cũng nghĩ đến
các tấm pin làm bằng bán dẫn silic, đã bắt đầu có từ những năm 1960
được dùng ở nhiều lĩnh vực, khá tiện lợi nhưng giá rất đắt. Tuy đã có
nhiều cải tiến nhằm tăng hiệu suất, hạ giá thành nhưng xu hướng dùng
pin mặt trời silic để sản xuất ra điện năng còn là quá tốn kém, không
cạnh tranh được với các cách sản xuất điện năng phổ biến hiện nay.
Từ năm 1991 đã xuất hiện một loại pin Mặt trời kiểu mới gọi là Pin Mặt trời chất màu nhạy quang.
Qua hơn 15 năm phát triển, loại pin Mặt trời này đã chứng tỏ rằng, có
thể dùng để sản xuất ra điện cạnh tranh với điện bằng than, dầu mỏ…
Ta tìm hiểu nguyên lý hoạt động của pin
Mặt trời silic, từ đó so sánh với hoạt động của pin Mặt trời chất màu
nhạy quang để thấy được tương lai ứng dụng rộng rãi của loại pin Mặt
trời mới này.
1. Pin Mặt trời silic
Vật liệu xuất phát để làm pin Mặt trời
silic phải là bán dẫn silic tinh khiết. Ở dạng tinh khiết, còn gọi là
bán dẫn ròng số hạt tải (hạt mang điện) là electron và số hạt tải là lỗ
trống (hole) như nhau. Để làm pin Mặt trời từ bán dẫn tinh khiết phải
làm ra bán dẫn loại n và bán dẫn loại p rồi ghép lại với nhau cho nó có
được tiếp xúc p - n.
Sơ đồ hoạt động của pin mặt trời silic
Thực tế thì xuất phát từ một phiến bán
dẫn tinh khiết tức là chỉ có các nguyên tử Si để tiếp xúc p - n, người
ta phải pha thêm vào một ít nguyên tử khác loại, gọi là pha tạp. Nguyên
tử Si có 4 electron ở vành ngoài, cùng dùng để liên kết với bốn nguyên
tử Si gần đó (cấu trúc kiểu như kim cương). Nếu pha tạp vào Si một ít
nguyên tử phôt pho P có 5 electron ở vành ngoài, electron thừa ra không
dùng để liên kết nên dễ chuyển động hơn làm cho bán dẫn pha tạp trở
thành có tính dẫn điện electron, tức là bán dẫn loại n (negatif - âm).
Ngược lại nếu pha tạp vào Si một ít nguyên tử bo B có 3 electron ở vành
ngoài, tức là thiếu một electron mới đủ tạo thành 4 mối liên kết nên
có thể nói là tạo thành lỗ trống (hole). Vì là thiếu electron nên lỗ
trống mạng điện dương, bán dẫn pha tạp trở thành có tính dẫn điện lỗ
trống, tức là bán dẫn loại p (positif - dương).
Vậy trên cơ sở bán dẫn tinh khiết có
thể pha tạp để trở thành có lớp là bán dẫn loại n, có lớp bán dẫn loại
p, lớp tiếp giáp giữa hai loạị chính là lớp chuyển tiếp p - n. Ở chỗ
tiếp xúc p - n này một ít electron ở bán dẫn loại n chạy sang bán dẫn
loại p lấp vào lỗ trống thiếu electron, ở đó. Kết quả là ở lớp tiếp xúc
p-n có một vùng thiếu electron cũng thiếu cả lỗ trống, người ta gọi đó
là vùng nghèo. Sự dịch chuyển điện tử để lấp vào lỗ trống tạo ra vùng
nghèo này cũng tạo nên hiệu thế gọi là hiệu thế ở tiếp xúc p - n, đối
với Si vào cỡ 0,6V đến 0,7V. Đây là hiệu thế sinh ra ở chỗ tiếp xúc
không tạo ra dòng điện được.
Nhưng nếu đưa phiến bán dẫn đã tạo lớp
tiếp xúc p - n phơi cho ánh sáng mặt trời chiếu vào thì photon của ánh
sáng mặt trời có thể kích thích làm cho điện tử đang liên kết với
nguyên tử bị bật ra khỏi nguyên tử, đồng thời ở nguyên tử xuất hiện chỗ
trống vì thiếu electron, người ta gọi là photon đến tạo ra cặp
electron - lỗ trống. Nếu cặp electron - lỗ trống này sinh ra ở gần chỗ
có tiếp p - n thì hiệu thế tiếp xúc sẽ đẩy electron về một bên (bên bán
dẫn n) đẩy lỗ trống về một bên (bên bán dẫn p). Nhưng cơ bản là
electron đã nhảy từ miền hoá trị (dùng để liên kết) lên miền dẫn ở mức
cao hơn, có thể chuyển động tự do. Càng có nhiều photon chiếu đến càng
có nhiều cơ hội để electron nhảy lên miền dẫn.
Nếu ở bên ngoài ta dùng một dây dẫn nối
bán dẫn loại n với bán dẫn loại p (qua một phụ tải như lèn LED chẳng
hạn) thì electron từ miền dẫn của bán dẫn loại n sẽ qua mạch ngoài
chuyển đến bán dẫn loại p lấp vào các lỗ trống. Đó là dòng điện pin Mặt
trời silic sinh ra khi được chiếu sáng.
Dùng bán dẫn silic tạo ra tiếp xúc p - n
để từ đó làm pin Mặt trời là một tiến bộ lớn trên con đường trực tiếp
biến ánh sáng Mặt trời thành dòng điện để sử dụng. Tuy nhiên pin Mặt
trời silic có một số hạn chế về kinh tế, kỹ thuật.
- Vật liệu xuất phát là silic tinh
khiết nên rất đắt. Ban đầu là làm từ sili đơn tinh thể dùng trong công
nghệ vi điện tử, tuy chỉ là dùng đầu thừa đuôi thẹo nhưng giá vẫn là
khá cao. Đã có những cách dùng silic đa tinh thể, silic vô định hình
tuy hiệu suất thấp hơn nhưng bù lại giá rẻ hơn. Nhưng xét cho cùng thì
vật liệu silic sử dụng phải là tinh khiết nên giá thành rẻ hơn không
nhiều.
- Đối với silic, để đưa electron từ
miền hoá trị lên miền dẫn phải tốn năng lượng cỡ 1,1 eV. Vậy năng lượng
của photon đến phải bằng hoặc cao hơn 1,1eV một chút là đủ để kích
thích eletron nhảy lên miền dẫn, từ đó tham gia tạo thành dòng điện của
pin Mặt trời.
Photon ứng với năng lượng 1,1 eV có
bước sóng cỡ 1 m tức là hồng ngoại. Vậy photon có các bước sóng lục,
lam, tử ngoai là có năng lượng quá thừa thãi để kích thích điện tử của
Si nhảy lên miền dẫn. Do đó pin Mặt trời Si sử dụng lãng phí năng lượng
Mặt trời để biến ra điện.
Còn nhiều lý do nữa, thí dụ photon bị
phản xạ, bị hấp thụ… nên hiệu suất của pin Mặt trời silic chỉ vào cỡ 12
đến 15% nghĩa là chỉ 12 đến 15% năng lượng của Mặt trời đến là được
biến thành năng lượng điện. Hiệu suất không cao, để chế tạo cần nhiều
phương tiện, thiết bị cao cấp, nguyên liệu đầu vào khá đắt tính ra đối
với Pin Mặt trời silic sau khi lắp đặt để có 1 watt điện phải mất cỡ 9
đôla. Tuy rằng một khi đã lắp đặt, về lý thuyết thì pin Mặt trời silic
bền đến 20 năm, không cần nhiên liệu vẫn có điện nhưng một gia đình
muốn có cỡ 3,6 kW điện từ pin Mặt trời phải đầu tư ban đầu 9 x 3600 =
32.000 đô la là một khoản tiền khá lớn (tuy rằng về sau không phải trả
tiền điện). Đó là chưa kể tiền phải tốn cho việc lưu trữ điện vào ắcquy
để ban đêm, ngày âm u tối trời có điện sử dụng.
Xu hướng làm pin Mặt trời giá rẻ là một
xu hướng nổi bật nhất là trong tình hình khó khăn về năng lượng truyền
thống như than, dầu mỏ, khí đốt…
Đã có nhiều đề xuất chế tạo pin Mặ trời bán dẫn không phải là Si, mà là CdTe, đặc biệt là CulnSe2 sản xuất ra tấm pin theo kiểu liên tục như in báo, sản xuất nhanh… nhưng chưa hạ được giá thành đáng kể.
Gần đây có một cách làm pin Mặt trời
theo kiểu hoàn toàn mới, vật liệu dễ kiếm, không đòi hỏi thiết bị cao
cấp, có rất nhiều hứa hẹn như giới thiệu sau đây.
2. Pin Mặt trời nhạy cảm chất màu DSC (Dye - sensitized solar cell)
DSC là một loại pin Mặt trời mới, giá rẻ, dễ làm. Loại pin này do
Michael Gratzel ở trường Bách khoa Lausane (Thuỵ Sĩ) chế tạo lần đầu
vào năm 1991 nên còn có tên là pin Gratzel.
Sơ đồ pin mặt trời DSC
Cấu tạo nguyên thuỷ của pin DSC gồm ba
phần chính (hình 2). Trên cùng là một lớp mỏng chất dẫn điện trong
suốt, đóng vai trò anôt làm bằng oxyt thiếc pha tạp fluo (SnO2: F). Lớp này phủ lên tấm thuỷ tinh trong suốt. Tiếp đó là một lớp có diện tích bề mặt rất lớn. Lớp dẫn điện SnO2: F và lớp hạt bột oxyt titan TiO2
được nhúng vào hỗn hợp chất màu nhạy quang ruthenium - polypyridin và
dung môi. Sau khi nhúng, một lớp mỏng chất màu nhạy quang bám dính vào
các hạt TiO2 bằng liên kết cộng hoá trị. Tiếp đó mặt sau được
tráng bằng một lớp mỏng chất điện ly iôt và đậy kín bằng tấm điện cực
kim loại, thường là platin. Toàn bộ được dán kín sao cho dung dịch
không bị rò chảy ra.
Pin DSC hoạt động như sau: ánh sáng Mặt trời qua tấm kính, qua lớp điện cực trong suốt SnO2: F chiếu vào chất màu nhạy quang dính trên bề mặt các hạt TiO2. Photon kích thích các phân tử chất màu nhạy quang làm cho electron ở đó bị bứt ra nhảy vào miền dẫn của TiO2
rồi từ đó dễ dàng chuyển động chạy về điện cực trong suốt ở phía trên.
Khi bị mất electron để nhận thêm cho phân tử không bị phân huỷ. Phân tử
chất màu nhay quang bèn lấy electron của iôt ở dung dịch điện phân,
biến anion iôt một I- thành anion iôt ba I3- .
Các anion iôt này khi tiếp xúc với điện cực kim loại sẽ lấy lại
electron từ điện cực trong suốt qua mạch ngoài chạy về điện cực kim
loại. Như vậy đã thực hiện cơ chế photon kích thích làm cho electron
nhảy lên, đến điện cực trong suốt rồi qua mạch ngoài chạy về điện cực
kim loại tạo ra dòng điện.
Vì nhiều lí do, hiệu suất của loại pin
này chỉ vào cỡ 11% thấp hơn hiệu suất của pin Mặt trời silic (12 -
15%). Tuy nhiên ưu điểm rõ rệt của loại pin này là:
- Vật liệu chế tạo rẻ, dễ kiếm. Đặc biệt TiO2 là chất bột trắng hay dùng để làm sơn trắng rất phổ biến.
- Kỹ thuật chế tạo đơn giản, không phải
cần máy móc cao cấp đắt tiền như ở trường hợp pin Mặt trời silic. Thậm
chí có thể làm pin mặt trời kiểu này theo cách thủ công.
- Dễ dàng cải tiến nhiều khâu kỹ thuật, nhất là ứng dụng công nghệ nano để làm bột TiO2 có diện tích mặt ngoài cực lớn.
Nhược điểm của loại pi này là có chứa
chất lỏng phải có các biện pháp chống rò rỉ khi dùng lâu. (Loại pin này
tuổi thọ là 10 năm, bằng một nửa tuổi thọ của pin Mặt trời silic).
Hiện nay đã có nhiều cải tiến đối với
chất màu nhạy quang làm cho ánh sáng thuộc nhiều bước sóng trong phổ
ánh sáng Mặt trời đều dễ dàng bị hấp thụ để kích thích làm thoát điện
tử tạo ra dòng điện. Nhờ đó, khác với pin Mặt trời silic, loại pin Mặt
trời mới này vẫn hoạt động tốt khi nắng yếu, đặc biệt là hoạt động với
ánh sáng trong nhà.
Đã có các hãng sản xuất pin Mặt trời
loại mới này bán để dùng thử, đã có các hãng bán hoá chất và dụng cụ
đặc biệt để bán cho người sản xuất pin Mặt trời này theo phương pháp
thủ công và đang có một nhà máy thử nghiệm sản xuất loại pin mặt trời
này dưới dạng in liên tục từng cuộn, sản lượng 30MW (megaoat) điện Mặt
trời hàng năm (dùng hết pin mặt trời do nhà máy làm ra trong một năm
tương dương với nhà máy điện công suất 30 MW).
Các pin năng lượng mặt trời có nhiều
ứng dụng. Chúng đặc biệt thích hợp cho các vùng mà điện năng trong mạng
lưới chưa vươn tới, các vệ tinh quay xung quanh quỹ đạo trái đất, máy
tính cầm tay, các máy điện thoại cầm tay từ xa, thiết bị bơm nước...
Pin năng lượng mặt trời (tạo thành các module hay các tấm năng lượng mặt
trời) xuất hiện trên nóc các tòa nhà nơi chúng có thể kết nối với bộ
chuyển đổi của mạng lưới điện. |